Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada
várias vezes, eletricamente.
Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode
ser apagada e programada
um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1
milhão. Esse limite
é causado pela continua deterioração interna do
chip durante o processo de apagamento
que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada
novo dado gravado no chip
requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação
como uma só
operação, porém seria possível gravar o
mesmo endereço de memória um bit de cada
vez, fazendo então oito gravações com um só
prévio apagamento. Entretando
a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo
do enderêço
automaticamente antes da gravação.
A memória flash é uma variação moderna da
EEPROM, mas existe na indústria uma
convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias
de escrita bit a bit, não
incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias
flash. As EEPROM
necessitam de maior área que as memórias flash, porque
cada célula geralmente necessita
de um transístor de leitura e outro de escrita, ao passo que
as células da memória flash só
necessitam de um.
Tecnologias mais novas como FRAM e MRAM estão aos poucos substituindo
as EEPROM's
em algumas aplicações.
